DINÂMICA DE CRESCIMENTO DE INTERFACE: RELAÇÃO ENTRE A GEOMETRIA
FRACTAL DA SUPERFÍCIE E OS EXPOENTES DA EQUAÇÃO DE KARDAR-PARISIZHANG
Palavras-Chave: Equação de Kardar-Parisi-Zhang, Expoentes de crescimento, Dimensão fractal,
Modelo Single-Step.
Fenômenos de crescimento são observados em situa coes diversas, tais como crescimentos de filmes
finos, colônia de bactérias, tumores, entre outros. Portanto, o estudo de tais fenômenos é de extrema
importância tanto do ponto de vista teórico como experimental. Neste trabalho, apresentamos os
conceitos básicos utilizados no estudo dos fenômenos de crescimento, seguido das equações de
crescimento como a equação de Edwards-Wilkinson e da equação de Kardar-Parisi-Zhang (KPZ),
em conjunto com seus expoentes, o que determina as suas respectivas classes de universalidade.
Apresentamos em seguida a definição de autômatos celulares e sua aplicação em modelos de
crescimento de deposição aleatória, deposição balística, etching e single-step. No trabalho recente
de Gomes-Filho e colaboradores [Result in Physics, 104.435(2021)], os autores associaram a
dimensão fractal da interface com os expoentes de crescimento para KPZ, apresentando valores
explícitos para eles. Neste trabalho investigamos o teorema da flutuação-dissipação para a equação
de KPZ através de simulações computacionais do modelo single-step. Nossos resultados mostraram
que a intensidade do ruido aplicado é alterada na medida em que a rugosidade da interface evolui no
tempo, tendendo a um valor constante no regime estacionário (ruído efetivo), sendo o mesmo
associado a dimensão fractal da interface. Desse modo, nossos resultados corroboram com a teoria
proposta por Gomes-Filho e colaboradores.