Estudo dos efeitos da radiação gama nas propriedades ópticas de dicalcogenetos bidimensionais baseados em WS2 e MoS2
Raman, dicalcogenetos, WS2, MoS2, Radiação Gama
Por apresentarem propriedades ópticas e elétricas aos materiais semicondutores os dicalcogenetos de metais de transição bidimensionais têm despertando grande interesse da indústria optoeletrônica. Por exemplo, o MoS2 e WS2 bidimencional tem sido utilizado para produzir células solares e fototransistores. Contudo, por apresentar estrutura de monocamada o desempenho desses dispositivos geralmente é afetado pelo ambiente no qual está inserido, como por exemplo, a radiação, a atmosfera, o ar, etc. Portanto, nesse trabalho pretende-se estudar os efeitos da radiação gama nas propriedades ópticas de dicalcogenetos a base de WS2, crescido por epitaxia de van der Waals (VdWE) em substratos de Si revestido com SiO2 e MoS2 crescido por automontagem (LbL), no modo eletrostático, sobre substrato de alumínio. Nesse estudo, filmes de WS2 e MoS2 serão submetidos a diferentes doses de radiação gama e posteriormente analisados pelas técnicas de espectroscopia de fotoluminescência e espectroscopia Raman resolvida espectralmente e espacialmente. Resultados preliminares mostraram que a radiação gama não atua de forma homogênea ao longo do filme crescido. Além do mais, foi verificado que as propriedades ópticas e vibracionais são fortemente dependentes da dose de radiação incidente.