Síntese e Caracterização de Filmes Finos de Dissulfeto de Molibdênio (MoS2) objetivando a construção de um dispositivo CMOS.
Dissulfeto de molibdênio, MoS2, filmes finos, esfoliação, espectroscopia Raman, capacitor MOS, banda plana.
Com o advento da nanotecnologia e o desenvolvimento de técnicas e metodologias relativamente simples de síntese de nanoestruturas, o desenvolvimento de materiais nanoestruturados bidimensionais (2D) têm sido extensivamente explorados nos últimos anos. Dentre os materiais que despertaram interesse para pesquisa e aplicações em nanoeletrônica podemos destacar o dissulfeto de molibdênio (MoS2). Embora, extensivamente estudadas na última década, devido ao seu grande potencial tecnológico, muitas das propriedades física das monocamadas de MoS2 ainda não estão completamente entendidas e apresentam diferenças significativas devido ao método de síntese empregado. A caracterização das propriedades desse material é de extrema importância para futuras aplicações tecnológicas e melhorias nas já existentes.
Este projeto de pesquisa tem como objetivo preparar nanopartículas de MoS2 dopadas com cobre (Cu) através da técnica de esfoliação em fase líquida (EFL) para caracterizá-las estruturalmente utilizando a espectroscopia Raman e, posteriormente, utilizarmos um filme fino desse material na produção de um capacitor MOS para caracterização elétrica através da técnica de deslocamento de banda plana.